IC CHINA 2013展商巡礼：联华电子

第11届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(简称2013 ICC)将于2013年11月13-15日在上海新国际博览中心隆重开幕。届时，台湾联华电子有限公司将亮相展会。
新任执行长颜执强调，“我们第二季的营收成长超越传统季节性的表现，随着时序进入第三季，我们预期营收将持续成长。中期来看，为了维持本公司在先进特殊制程领域的领导地位，联电研发团队会持续加速量产并强化技术改良，以充分满足客户产品规划上的需求。联电涵盖广泛的制程技术让客户得以在不同产业区隔，皆能差异化其产品，这也可促使我们能进一步扩展业务范畴，强化整体竞争力进而提升长期获利能力。” 
联华电子身为半导体晶圆专工业界的领导者，提供先进制程与晶圆制造服务，为IC产业各项主要应用产品生产晶片。联电完整的解决方案能让晶片设计公司利用尖端制程的优势，包括28奈米 Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号／RFCMOS技术，以及其他涵盖广泛的特殊制程技术。联电现共有十座晶圆厂，其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12吋厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28奈米的客户产品，第五、六期已在兴建阶段，第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工，在台湾、日本、韩国、中国、新加坡、欧洲及美国均设有服务据点，以满足全球客户的需求。
业界的领导者
联电成立于1980年，为台湾第一家半导体公司，引领了台湾半导体业的发展，是台湾第一家提供晶圆专工服务的公司，也是台湾第一家上市的半导体公司（ 1985年）。联电以策略创新见长，首创员工分红入股制度，此制度已被公认为引领台湾电子产业快速成功发展的主因。联电同时也透过MyUMC线上服务，让客户能在线上取得完整的供应链资讯，此服务于1998年上线，亦为业界首创。
联华电子身为半导体晶圆专工业界的领导者，提供先进制程与晶圆制造服务，为IC产业各项主要应用产品生产晶片。联电完整的解决方案能让晶片设计公司利用尖端制程的优势，包括28奈米 Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号／RFCMOS技术，以及其他涵盖广泛的特殊制程技术。联电现共有十座晶圆厂，其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12吋厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28奈米的客户产品，第五、六期已在兴建阶段，第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工，在台湾、日本、韩国、中国、新加坡、欧洲及美国均设有服务据点，以满足全球客户的需求。
全方位的服务
纯晶圆专工业务为联电的核心服务，除了透过先进的研发能力提供尖端技术外，同时也提供优异的制造能力，包括28奈米制造能力，以及位于台湾与新加坡两座12吋晶圆厂。此外，联电采用全方位的IP方案，并以安全政策保护我们客户与协力厂商的智慧财产权。请参考联电完整的解决方案，而关于其他晶圆专工服务与一般客户接洽流程，请参考本公司的服务流程图。
世界级的生产制造
联电是12吋晶圆生产制造的领导者，目前有两座运转中的12吋晶圆厂。Fab 12A位于台南，自2002年起便开始量产客户产品，目前生产业界最先进的28奈米制程产品，其单月晶圆产能超过50,000片。联电的第二座晶圆厂Fab 12i位于新加坡，这座第二代12吋晶圆厂也已进入量产，单月晶圆产能为45,000片。先进的自动化设备、成熟的缺陷密度与具竞争力的生产周期，加上客户导向的产能扩充计划，使得联电成为满足客户需求的最佳晶圆专工选择。
除了12吋厂外，联电拥有七座8吋厂与一座6吋厂，生产半导体产业每个主要领域所需的产品。
联华电子大事记
1980年5月 联电正式成立
1995年7月 转型为纯晶圆专工公司
1996年1月 0.35微米制程开始生产
1997年10月 0.25微米制程开始生产
1999年3月 0.18微米制程开始生产
1999年11月 南科12吋晶圆厂正式建厂
2000年1月 联电集团进行跨世纪五合一(联电/联诚/联瑞/ 联嘉/合泰五合一)
2000年5月 产出第一颗0.13微米制程IC
2000年9月 于纽约证券交易所挂牌上市
2003年3月 产出第一颗90奈米制程IC
2004年12月 正式收购旗下子公司UMCi，并改名为Fab 12i
2005年6月 产出业界第一颗65奈米客户晶片
2009年12月 正式收购日本子公司UMCJ
2011年10月 28奈米制程进入试产
2012年5月 南科12A厂第五第六期厂房动土典礼

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