ST推出新的改进版串联二极管降低开关损耗

来源：  作者：closeyu  发布：2013-09-10  点击：

      与第一代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QRR，reverse-recovery charge)，从而能够最大限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度，缩短设备厂商的新产品上市时间。新产品性能可与碳化硅二极管相媲美，但价格比碳化硅二极管低至少30%。

         新产品包括平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与 12A的STTH12T06DI，属于意法半导体600V串联二极管系列。新产品的正向涌流峰值与超高速二极管相同，确保稳健性和可靠性，工作结温范围宽达 -40°C到 175°C。

       三款器件现已全部投入量产，采用TO-220AC绝缘散热柱型封装。

来源：华强电子网